C-10-2 AIGaN/GaN HEMTの低周波Sパラメータを用いたドレインコンダクタンス周波数分散評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)

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概要

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• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-09-03

著者

• 成田 知隆

  名古屋工業大学

• 安藤 彰浩

  名古屋工業大学

• 山田 隆司

  名古屋工業大学

• 分島 男

  名古屋工業大学

• 江川孝 志

  名古屋工業大学

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