C-4-21 全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板を用いた1550nm帯20層積層QD-SOAの基本特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-09-03

著者

• 松下 明日香

  早稲田大学理工学術院

• 宇高 勝之

  早大理工学術院

• 松本 敦卓

  早大理工学術院

• 武井 勇樹

  早大理工学術院

• 松下 明日香

  早大理工学術院

• 赤羽 浩

  情報通信研究機構

• 松島 裕一

  早大グリーンコンピューティングシステム研究機構

関連論文

• InAs QD-SOAとリング共振器を集積した光論理ゲート素子の超高速(160Gb/s)論理動作の数値解析による検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• InAs QD-SOAとリング共振器を集積した光論理ゲート素子の超高速(160Gb/s)論理動作の数値解析による検討(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
• C-4-21 全光論理ゲート素子に向けたInP(311)B基板を用いた1550nm帯20層積層QD-SOAの基本特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-3-85 ポリマーハイメサ構造直接結合2重リング共振器型波長選択フィルタ(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)

スポンサーリンク