29p-JE-6 ヘビーフェルミオンのトンネリング(低温)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
1a-G-9 高密度近藤系CeCu_6の核磁気緩和
-
13p-PSA-64 高圧下におけるUGe_2単結晶の熱膨脹
-
25p-PSB-22 キュリー点近傍におけるUGe_2単結晶の熱膨張異常とその圧力効果
-
30p-YN-3 CeRu_2Si_2のメタ磁性と^Si NMR
-
15a-R-2 CeRu_2Si_2のメタ磁性と^Si NMR
-
14a-PS-28 重い電子系CeInCu_2の高圧下の熱膨脹測定
-
14a-PS-27 重い電子系CeCu_6の電気抵抗に及ぼす圧力効果
-
27p-ZJ-5 重い電子系CeInCu_2の磁気抵抗効果
-
29p-APS-80 重い電子系CeInCu_2における圧力誘起の価数転移II
-
29p-APS-34 URu_2Si_2の電気抵抗に及ぼす圧力効果
-
24a-F-14 重い電子系CeInCu_2における圧力誘起の価数転移
-
6a-F-10 重い電子系における熱膨張とその圧力効果
-
5p-F-10 重い電子系CeInCu_Z単結晶の熱膨張
-
3p-PS-48 単結晶CeCu_6の磁歪
-
29a-P-5 高濃度近藤系CeCu_6のanisotropic Compressionと熱膨張
-
29a-P-4 高濃度近藤系CeCu_6の電気抵抗の圧力効果II
-
5a-S3-17 U_5Ge_3の超伝導
-
2a-J-10 U-T-Sn系(T:偏移金属)化合物の作製
-
1a-G-11 高濃度近藤系CeCu_6の電気抵抗と格子定数の圧力効果
-
12a-DC-14 ウラン化合物の共鳴光電子分光
-
12a-DC-13 ウラン化合物の内殻線形状の非対称性と価電子帯スペクトル
-
29a-P-12 セリウム化合物(CeSn_3,CeNiSn,CePdSn)のXPS,X-BISスペクトル
-
28a-P-13 NbのHc_2近傍でのdHvA効果-超伝導状態でのdHVA効果に関するコメント
-
27a-M-14 CeRu_2Si_2のドハースーファンアルフェン効果
-
28a-ZJ-6 LaRu_2Si_2とCeRu_2Si_2のドハース・ファンアルフェン効果
-
26a-F-17 UCu_5の強磁場磁化
-
30p-E-2 ウラン化合物の内殻線形状の非対称性
-
27a-U1-7 CeInCu_2のヘビーフェルミオン状態
-
2p-NL-8 遷移金属カルコゲン化合物のインターカレーション効果
-
30a-F-7 陽電子消滅二次元角相関法によるCeB_6の三次元運動量分布の再構成
-
31p-PSB-8 Kondo Insulator Ce_3Au_3Sb_4の物性
-
28a-ZJ-3 LaSn_3の音響的dHvA効果II
-
29p-APS-79 LaSn_3の音響的dHvA効果
-
29p-APS-73 CeGa_2の音響的dHvA効果
-
1a-Q-13 歪を加えたビスマスの転位による伝導電子の散乱
-
4a-J-11 歪を加えたBiのアルフェン波,サイクロトロン共鳴,シェブニコフ・ドハース振動
-
28a-PS-33 CeIn_3のド ハース ファン アルフェン効果におけるスピン因子の振る舞い
-
27a-M-19 LaRh_2のドハース・ファンアルフェン効果と磁気抵抗
-
1a-KK-1 IT-TaS_2の交流帯磁率
-
2p-W-2 UGe_z,U_3Ge_4のXPS,X-BISスペクトル
-
31p-P-7 ___-
-
27a-ZJ-3 PrCu_6の強磁性転移温度付近での電気抵抗III
-
24a-ZB-4 PrCu_6の核磁気転移温度付近における電気抵抗 II
-
2p-P-4 陽電子消滅二次元角相関による金属六ホウ化物のフェルミ面
-
28a-RB-1 PrCu_6の核磁性
-
13p-PS-3 1T-TaS_2のmK領域での磁化
-
13p-PS-2 1T-TaS_Se_xの極低温での磁気抵抗
-
9. Anderson Localization in 1T-TaS_2(Experiments,I. Three Dimensional Systems)
-
27p-M-4 1-T-TaS_2の極低温での電子物性
-
13p-PSA-65 UX_2(X=Ga, Ge)の中性子散乱II
-
12a-R-7 CeCu_2の低エネルギー磁気励起
-
29a-R-3 UX_2(X=Ga,Ge)の中性子散乱
-
1p-G-1 Ce_xLa_Cu_6の極低温における高濃度近藤効果II
-
CeB_6のLa希釈効果(VIII ポスター・セッション,価数揺動状態をめぐる理論の現状,科研費研究会報告)
-
27p-U1-8 URu_2Si_2の超伝導と磁性
-
27a-U1-16 f電子系のホール効果 II
-
27a-U1-15 RCu_6のドハース・ファンアルフェン効果
-
2a-J-1 U-Rh, U-Ir, U-Ruの磁性と伝導
-
6a-F-18 U-Ge系, U-Ru系, U-Ir系, U-Rh系の磁性
-
3p-S3-21 YCu_2のドハース・ファンアルフェン効果
-
12p-L-9 転位を入れた鉛のサイクロトロン共鳴
-
8a-G-9 鉛のサイクロトロン共鳴III
-
3p-Z-6 YPd_3中にドープされた Uの低温物性 II
-
27p-M-5 1T-TaS_2のアンダーソン局在と磁性
-
2p-A-3 A_xZrSe_2(A=Li, Na, K, Rb, Cs)の超伝導
-
遷移金属カルコゲナイドへのリチウムのインターカレーションを利用したバッテリー(インターカレーションの機構と物性(第2回),科研費研究会報告(1981年度))
-
A_xZrSe_2(A=Li,Na,K,Rb,Cs)の超伝導(インターカレーションの機構と物性(第2回),科研費研究会報告(1981年度))
-
2a-F-19 遷移金属カルコゲナイドへのリチウムのインターカレーションを利用したバッテリー
-
TiS_2,ZrSe_2及びIT-TaS_2の物性におよぼす成分金属のインターカレーション効果(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
-
遷移金属カルコゲナイドへのリチウムのインターカレーションを利用したバッテリーとリチウム層間化合物の電気的性質(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
-
4p-NF-11 1T-TaS_2(pyridine)_xの超伝導
-
2p-NL-9 遷移金属カルコゲナイドへのチウムのインターカレーションとバッテリー
-
2p-NL-5 1T-TaS_2のアンダーソン局在と層間欠陥
-
2p-W-31 LiをインターカレートしたZrSe_2とTiS_2の電気的性質
-
2p-W-30 遷移金属カルコゲナイドへのLiのインターカレーションを利用したバッテリー
-
4a-B-10 リシウム・遷移金属カルコゲナイド層間化合物の電気的性質とバッテリー性能
-
5a-S3-16 UGe_2とU_3Ge_4の磁性
-
12p-R-12 UGe_2の結晶構造
-
30p-YN-7 反強磁性近藤物質CeCu_2Ge_2の高圧下におけるNQR
-
15p-R-6 反強磁性近藤物質CeCu_2Ge_2の高圧下におけるNMR
-
12p-R-19 UPd_3の磁気抵抗とドーハス・ファンアルフェン効果
-
30p-E-8 Ce_xLa_Al_2およびCeO_2の4d→4f励起領域における反射スペクトル
-
2a-M-3 ZrSe_2とTiS_2の電気抵抗のT^2依存性
-
29p-APS-77 NdIn_3のマグネティック・ブレークスルーとドハース・ファンアルフェン効果
-
24a-F-20 GdIn_3のドハース・ファンアルフェン効果とフェルミ面
-
31a-J-4 CeSn_3とNdCu_6のドハース・ファンアルフェン効果
-
29a-R-9 CeGa_2の音響的dHvA効果II
-
25p-PSB-29 CeGa_2とLaGa_2の音響的dHvA効果
-
5p-S3-19 希土類金属間化合物のポイントコンタクトスペクトロスコピー
-
28p-ZJ-8 CeCu_2の磁性
-
28a-ZJ-4 RIn_3のドハース・ファンアルフェン効果
-
31a-J-2 Ycu_2とCeCu_2の音響的ドハース・ファンアルフェン効果
-
3p-S3-2 CeInCu_2の弾性的性質
-
31p-PSA-67 重い電子系におけるドハース・ファンアルフェン効果測定用トップ・ローデイング型希釈冷凍機の開発
-
25p-PSB-38 RIn_3(R:希土類元素)の低温比熱
-
30p-SD-11 Ce_R_xB_6(R=Ca, La, Y)の磁性
-
28a-YN-12 UCu_5のNMR
-
6a-F-14 UCu_5のNMRと磁気構造 (III)
-
31a-BJ-8 1T-TaS_2 の電気的性質
-
MoS_2及びZrSe_2のインターカレート化合物の超伝導(インターカレーションの機構と物性(第1回),科研費研究会報告)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク