6pSL-12 第一原理計算によるSi中のIn原子挙動解析(不純物・格子欠陥,領域10,領域4合同,領域10)

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-08-13

著者

• 山内 淳

  (株)東芝研究開発センター

• 青木 伸俊

  SoC閥発センター

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