6pPSB-18 Si(001)表面上のC2H2の分子軌道からの光電子放出角度分布(表面界面結晶成長,領域9)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-08-13

著者

• 大門 寛

  奈良先端大

• 難波 秀利

  立命館大理工

• 中西 康次

  立命館大理工

• 小川 浩二

  立命館大理工

• 中村 洋次郎

  奈良先端大物質創成

• 浜田 洋司

  奈良先端大物質創成

• 服部 賢

  奈良先端大

• 松井 文彦

  奈良先端大

• 武田 さくら

  奈良先端大

• 松本 英明

  奈良先端大物質創成

• 浜田 洋司

  奈良先端大

• 松本 英明

  奈良先端大

• 中村 洋次郎

  奈良先端大

関連論文

• 21pPSA-21 二次元光電子分光法による6H-SiC(0001)表面上酸窒化膜の原子構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aPS-20 遷移金属ジカルコゲナイドの円偏光二次元光電子回折パターン(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
• 21pPSA-27 4H-SiC(0001)表面上のグラフェン形成過程の組成・構造解析(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pGQ-5 SiC(0001)表面のサイト選択的光電子回折による構造解析(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aGQ-4 Si(001)ホールサブバンド分散の角度分解光電子分光測定(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-20 酸化亜鉛における極性面と発光(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• 22pGQ-4 光電子回折リングにおける円二色性の解析(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYG-7 遷移金属ジカルコゲナイドにおける円偏光二次元光電回折の解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 28aYG-4 Si(111)-√×√-Ga表面における円二色性光電子回折リングの解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pYE-3 SiC(0001)表面上のグラフェンエッジの円偏光光電子回折(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 27pYE-2 SiC(0001)表面上のグラフェンエッジの価電子帯回折分光(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
• 29pPSB-61 円偏光光電子回折によるSiC(0001)表面の原子構造解析(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 18pTG-5 Si反転層中の2次元正孔ガスの角度分解光電子分光 : 光エネルギー依存性(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 放射光討論会「朝まで生テレビ」 -今, 何が問題か? : 物質科学編-
• 21pPSA-19 薄膜基板界面観察用の断面STMシステムの開発(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pXA-4 回折分光のサイト選択性と深さ分解能(23pXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-6 Bi吸着Si(001)表面の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26aYH-5 二次元XAFS/XMCD法によるNi薄膜の原子分解電子磁気構造解析(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pPSB-23 円偏光励起によるSi2p光電子放出角度分布の光電子波数依存性II(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 15aPS-39 立体原子顕微鏡測定による磁性ナノ薄膜 Fe/Cu(001) の構造の定量的評価(領域 9)
• 20aPS-65 Cu(001) 上の Fe 薄膜の立体原子顕微鏡測定による構造解析とその磁気特性
• 17aWA-7 Cu/Ni/Cu(001)におけるCuおよびNiの膜厚に依存したスピン配向転移
• 25aWD-10 W(110)円偏光光電子回折における前方散乱ピークによる構造解析
• 23pXC-3 Fe/W(110)における円偏光スピン偏極光電子回折
• 22aW-3 二次元円偏光角度分解光電子分光による価電子帯原子軌道解析
• 22aXK-3 X線Auger電子回折吸収分光法による表面・薄膜研究(表面磁性,表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pXA-3 ボロンドープダイアモンド(111),(001)の加熱処理による内殻スペクトルの変化(ダイヤモンド・Si超伝導,領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 20aPS-31 円偏光軟X線Auger・光電子回折を用いたEtOH/Si(111)7×7及びO_2/Si(111)7×7の三次元的構造解析(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pTG-10 Ni磁性薄膜のスピン配向転移と原子分解磁気構造解析(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19aPS-31 円偏光励起光電子立体写真法によるBi2201及びBi2212の局所構造解析(19aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pPSB-15 光電子ホログラムと立体原子写真をリアルタイムで観測するシステムの開発(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aYH-5 二次元XAFS/XMCD法によるNi薄膜の原子分解電子磁気構造解析(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 22pPSB-4 光電子放出角度分布中のウムクラップ散乱のエネルギー依存性と反射高速電子回折(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-8 高エネルギー分解能型2次元光電分析器の開発(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-5 グラファイト上の白金薄膜の構造と電子状態の温度依存性(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-21 二次元光電子分光によるSi(111)-√×√-Ptの電子状態の研究(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pPSB-21 GaN(0001)基板表面清浄化手法の開発2(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29pPSB-47 GaN(0001)基板表面清浄化手法の開発(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSB-73 SPE成長させたSi(111)-Feの磁気構造相図(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-45 Si(111)表面上にSPE成長した多結晶Feシリサイド相の構造と磁気特性(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aTB-1 Si(111)1×1,2×2-Feの界面強磁性(領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSB-22 立体原子写真法によるInP(001)表面の研究(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19pYL-12 NbSe_2のフェルミ面の原子軌道及び結合状態の解析(超伝導・電荷密度波,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 15aPS-14 二次元光電子分光による NbSe_2 の 3 次元バンド構造及び原子軌道解析(領域 9)
• 13pPSA-11 二次元光電子分光による MoS_2 の三次元バンド構造及び原子軌道解析(領域 5)
• 20aPS-8 直線偏光 2 次元光電子分光による Cu の電子状態の 3 次元的構造
• 21aWB-13 Cu 3d 電子の光電子放出角度分布 : 原子軌道と原子構造解析
• 28pPSB-7 直線偏光 2 次元光電子分光および第一原理計算による単結晶 Cu 電子状態の研究
• 26aRJ-6 光電子回折リングの円二色性と波数依存性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19pPSB-24 二次元光電子分光法による原子軌道解析における多重散乱やウムクラップ過程の影響
• 19aRH-4 放射光二次元光電子分光法によるグラファイトの三次元(E_B, k_x, k_y)電子状態のk_z依存性の研究
• 25aWD-3 二次元角度分解光電子分光によるグラファイト表面の電子構造の研究
• 22aXC-2 低次元電子物性のための放射光励起2次元表示型角度分解光電子分光ビームラインの開発
• 27aYH-8 Siホールサブバンドの有効質量(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-24 Si(001)表面上に成長した鉄シリサイド三次元細長島の構造II(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-20 Si(110)表面へのPb吸着構造のRHEED観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-9 第一原理計算によるSi(111) 2x2表面でのN原子及びO原子吸着(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pPSB-4 高分解能角度分解光電子分光によるGaSb(001)表面近傍の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pRD-8 Si(111)√×√-Agの表面電子状態における原子ステップの効果の研究(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-59 Si(111)表面上に成長したガドリニウムシリサイド3次元島の構造(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-50 Si(111)2x2-Fe及びc(8x4)-Fe表面のSTM観察・LEED I-V測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-49 Si(111)7×7表面へのNO初期吸着のSTM観察III(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aTE-1 Si(001)表面上に成長した鉄シリサイド三次元細長島の構造(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYQ-4 Si(111) 3×1, 6×1-Ag相転移の光電子分光によるモデルの考察
• 22aWA-5 Si(111)-Ag表面における3x1-6×1構造相転移の光電子分光による研究
• 25pW-10 Si(111)3x1-Ag表面の角度分解光電子分光
• 29pPSA-16 二次元表示型光電子分光器を用いた銅フタロシアニンの電子構造の解析
• 22aT-12 Si(001)円偏光光電子回折による構造研究
• 23aM-2 SPring-8二次元光電子分析器による円偏光光電子回折II
• 25aE-3 Si(111)7×7上におけるCo磁性薄膜についての研究II
• 27aW-2 Si2s内殻の円偏光光電子回折
• 27aW-1 Spring-8でのSi2p内殻の高エネルギー円偏光光電子回折
• 25pZ-9 Si(111)およびSi(111)-Ag表面上におけるCo原子層の構造と磁気的性質
• 25pYC-2 SPring-8二次元光電子分析器による円偏光光電子回折
• 20aPS-35 Ge 蒸着 Si(111) 7×7 表面の STM 観察
• 20aPS-34 Si(111) 表面における Fe シリサイドの形成 III
• 20aPS-25 Si(111) 2×2-Fe 表面への NO 吸着
• 17pWD-1 Si(111)7×7表面におけるCO吸着の初期過程
• 22pPSA-9 Pb吸着Si(100)表面の角度分解光電子分光(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTK-2 Bi系高温超伝導体の電子状態のオージェ電子回折・X線吸収分光による深さ分解解析(光電子分光・MCD,領域5,光物性)
• 22pPSA-72 角度分解光電子分光によるSi(111)3√×3√-PbGaホールサブバンド解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pPSB-35 バックボンドに吸着したO原子から見たSi adatomとdimerのAuger電子回折による直接観察(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-14 角度分解光電子分光によるSi(111)6.3×6.3-Ga表面下のホールサブバンドの分散測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20aPS-15 Si(111)4×1-In表面下の反転層サブバンドの角度分解光電子分光測定(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 19aWF-8 ボロンドープダイアモンド(111),(001)のローカルドーパントサイトの研究(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pPSB-8 シリコン反転層中の価電子サブバンドの面内方位依存性(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-3 二次元光電子分光とcite選択的XAFS測定(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-33 光電子回折リングにおける円二色性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-36 円偏光励起によるSi2p光電子放出角度分布の光電子波数依存性(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31aWD-4 角度分解光電子分光による graphite の価電子帯と伝導帯の分散の測定
• 18aTB-1 Si(111) 1×1, 2×2-Feの界面強磁性(18aTB 領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pRE-11 円偏光二次元光電子回折による1T-TaS_2の価電子帯の軌道角運動量解析(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
• 23aWS-4 Si(111)-√×√-Sn,-Pb表面の円偏光光電子回折リングの解析(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-46 Si(111)7×7表面へのアルカリ金属吸着過程の表面電気伝導度(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-45 高分解能角度分解光鷺子分光によるGe(110)表面の電子状態の観測(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-43 高分解能角度分解光電子分光によるSi(001)4×3-In表面近傍の電子状態(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-40 Bi/Si(001)のスピン分解角度分解光電子分光(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-73 4H-SiC(0001)上のグラフェン形成過程の追跡と層分解構造解析(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aPS-127 シリコンp型反転層中のサブバンドの面内分散のバルクとの比戟(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24aPS-138 光電子回折による酸素吸着Nb(110)表面の構造解析(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク