6pSA-12 へき開再成長法により作製された(110)GaAs量子井戸における表面原子ステップの観察(量子井戸・超格子,領域4,領域5合同,領域4)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-08-13

著者

• 吉田 正裕

  東大物性研

• 秋山 英文

  東大物性研

• 呉 智元

  東大物性研:科技団

• West K.

  ルーセント・ベル研

• Pfeiffer L.

  ルーセント・ベル研

• 呉 智元

  東大物性研

関連論文

• 28p-ZE-2 SILを用いた高感度顕微蛍光計測
• 21aHW-9 T型量子細線の光吸収計測と一次元励起子線幅の温度依存性(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aXD-9 中性及び非中性電子-正孔系を有したT型量子細線の利得及び発振特性(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXD-8 顕微発光励起スペクトル測定を用いた非ドープ量子井戸のキャリア温度(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aYK-3 量子井戸の界面ラフネスによる励起子の弱局在と発光励起スペクトルピークの非対称形状(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYK-2 ハートリーフォック近似計算を用いた中性及び非中性電子 : 正孔系における光学利得の解析(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aYK-1 半導体量子細線レーザーの利得スペクトルにおけるクーロン増強および抑制効果(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pWJ-5 ドープ量子細線の光学スペクトルにおけるクーロン増強効果(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pWJ-8 T型量子細線レーザーにおける光学利得スペクトルのキャリア密度依存性(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pWJ-9 電流注入T型量子細線における利得特性の温度依存性(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 19pYJ-3 半導体量子細線における発光直線偏光に対応した正孔波動関数の新しい表示法
• 28pTB-14 リッジ型量子細線レーザー構造の発光・発振偏光角度分布と波動関数との対応
• 25pSB-9 リッジ型半導体量子細線構造における価電子帯波動関数の数値計算と発光・発振偏光特性
• 24pL-8 リッジ型量子細線レーザー構造のパターンサイズ依存性
• 25pD-4 リッジ型量子細線レーザー構造内部でのキャリア拡散
• 30p-ZE-2 リッジ型量子細線レーザー構造内におけるキャリア発光空間分布
• 27p-YN-13 リッジ型量子細線レーザーにおけるキャリア分布・密度および偏向特性
• 2p-YH-10 リッジ型GaAs量子細線構造からのレーザー発振II
• 5a-E-7 リッジ型GaAs量子細線構造からのレーザー発振
• 19aYJ-4 半導体量子井戸のサブバンド吸収幅における不純物・アロイ散乱の効果とバンド非放物線性の影響
• 28pTB-2 GaAs量子井戸におけるサブバンド吸収幅の温度・井戸幅依存性
• 25pSB-8 GaAs T型量子細線におけるキャリアの流れ込み効果とその温度特性
• 20pTH-1 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起
• ソリッドイマージョンレンズ(SIL)を用いた近接場蛍光顕微計測法
• 24pRA-2 ソリッドイマージョン顕微蛍光計測の分解能
• 24pRA-1 ワイエルストラス型ソリッドイマージョンレンズによる高効率蛍光検出
• 25pXC-7 半導体ナノ結晶分散セラミックス薄膜(ZrO_2)_(CdS)_x:Mn^,Eu^の発光スペクトルと短寿命成分
• 24aN-9 セラミック薄膜(ZrO_2)_x(CdS)_Mn^中の半導体ナノ結晶の発光
• 24aL-11 GaAs量子井戸におけるサブバンド吸収幅の温度・電子濃度依存性
• 25pD-3 T型GaAs量子細線における発光、電子状態の局在効果
• 31a-ZH-2 セラミックス薄膜ZrO_2 : CdS, Eu^, Mn^のルミネッセンスとナノ構造
• 19pPSB-24 GaAs量子井戸におけるサブバンド間吸収・電子ラマン散乱の対応関係と動的多体効果II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 27pXC-6 GaAs量子井戸におけるサブバンド間吸収・電子ラマン散乱の対応関係と動的多体効果(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13pPSA-79 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起 III(領域 5)
• 28pPSB-8 赤外吸収と電子ラマン散乱による量子井戸のサブバンド間励起II(領域4ポスターセッション)(領域4)
• 28pXC-4 ドープした一次元半導体細線の光学応答(28pXC 領域4,領域5合同シンポジウム:光学測定による半導体中のキャリア間相互作用研究の新展開,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pSB-7 GaAs量子井戸のサブバンド吸収幅における凸凹散乱の効果
• 30p-ZE-3 多重量子井戸のサブバンド間遷移における振動子強度
• 27p-YN-2 結合量子井戸におけるサブバンド間遷移の振動子強度
• 14pYC-7 超弱励起による原子平坦面をもつ量子井戸の発光スペクトル(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 28pPSB-6 超平坦界面を有する(110)GaAs量子井戸構造における特徴的な表面原子ステップの発光顕微分光測定(領域4ポスターセッション)(領域4)
• 21pYC-4 GaAs(110) 表面の Ga, As 原子移動バリアーの低さと異方性の第一原理計算
• 30pYH-3 超平坦界面を有する GaAs (110) 量子井戸の顕微分光
• 5a-E-5 T型InGaAs量子細線からの発光の空間分布測定
• 31a-R-11 T型GaAs量子細線の発光の空間分布測定
• 24aXL-9 T型量子細線を用いた1次元励起子吸収の温度依存性測定(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aYC-2 20周期および100周期T型量子細線レーザーにおけるレーザー発振の温度依存性(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aZC-2 T-型量子細線レーザの吸収スペクトル(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 13pPSA-80 顕微透過測定による T-型量子細線レーザの吸収-利得スペクトル(領域 5)
• 13pPSA-56 レーザーダイオードを用いたエタロンフィルタの顕微透過計測(領域 5)
• 20pTH-4 透過測定による T-型量子細線レーザの吸収・利得スペクトル
• 19aYJ-6 低温での光励起AlGaAs量子井戸レーザー発振における励起子分子の寄与
• 18pTA-4 ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP単一量子細線の低温発光分光(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 30p-ZE-9 へき開(110)面上GaAs量子井戸の高分解顕微分光
• 27p-YN-11 へき開(110)面上にMBE成長したGaAs量子井戸の発光空間分布
• 29pYH-5 GaAs 量子井戸におけるサブバンド間遷移の線幅の物理
• 25aWQ-5 GaAs量子井戸の発光励起スペクトルにおける共鳴レーリー散乱の寄与(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-3 点励起Hakki-Paoli法による半導体量子井戸レーザーの導波路モード評価(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 25aWQ-2 量子細線における一次元電子正孔系の光学利得と静的遮蔽相互作用(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 20aYK-4 ドープ量子井戸におけるKennard-Stepanov関係式(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pWJ-10 電流注入7nm×7nmT型量子細線レーザーの作製と評価(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTG-2 T型量子細線レーザーでのキャリア密度増加にともなう光学利得の増大と抑制効果(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTG-3 光励起及び電流注入によるT型量子細線の利得スペクトル測定(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTG-4 5nmGaAs/AlAs量子井戸の界面平坦化と発光線幅(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTG-5 パルス駆動によるInGaAsP/InP量子井戸レーザーダイオードの利得吸収スペクトル評価(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pPSB-54 発光励起スペクトル測定法で見るドープ量子井戸の光放出と光吸収の関係(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 21pTG-1 Theoretical Study on Gain Characteristics of Semiconductor Quantum Wire Lasers
• 18pTA-3 発光と発光励起スペクトルから見積もる低次元電子系のキャリア温度(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aXL-10 Arm-arm電流注入型T型量子細線レーザーの低閾値発振特性(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aXL-12 Arm-Stem電流注入型T型量子細線レーザーの発振特性(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aXL-11 Arm-arm電流注入型T型量子細線レーザーの光学評価と電流注入発振機構の解明(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pRE-3 アクセプターを注入したn型ドープ量子細線の発光における正孔の局在効果(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
• 20pPSA-21 n型にドープしたT型量子細線におけるPLEスペクトルの温度依存性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20aXB-5 n型にドープしたT型量子細線におけるPLEスペクトルの電子濃度依存性(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 19aYC-1 5mmスケールAlAs/GaAs T型量子細線の発光及び発光励起スペクトルII(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aPS-103 5nmスケールAlAs/GaAs T型量子細線の発光及び発光励起スペクトル(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 27pXC-3 電流注入型T型量子細線レーザーの作製と評価(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aZC-1 T型量子細線中の一次元電子正孔系の時間分解発光測定(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 14pXC-14 T 型量子細線における利得吸収スペクトルの温度依存性(励起子・ポラリトン, 領域 5)
• 30aPS-73 T型量子細線レーザーの利得スペクトル(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 28pPSB-7 高品質単一T型量子細線における一次元励起子系の多体効果III(領域4ポスターセッション)(領域4)
• 28pYF-8 n型ドープGaAs量子細線の発光および発光励起スペクトル測定(量子井戸・超格子)(領域4)
• 22pPSA-55 T 型量子細線レーザーの利得測定
• 21pPSB-3 高品質単一 T 型量子細線における一次元励起子系の多体効果 II
• 24pRA-2 ソリッドイマージョン顕微蛍光計測の分解能
• 24pRA-1 ワイエルストラス型ソリッドイマージョンレンズによる高効率蛍光検出
• 20pTH-3 発光励起スペクトルを用いた T 型量子細線中励起子励起状態の観測及び数値解析
• 20pTH-2 n 型ドープ GaAs 量子細線の発光の温度依存性
• 19pYJ-2 ゲート付変調ドープT型単一量子細線の発光における多体効果
• 27a-YE-13 顕微蛍光計測における基板およびレンズの近接効果
• 19aYJ-5 へき開再成長(110)GaAs量子井戸の平坦界面形成と発光パターン
• 28pTB-1 へき開再成長(110)GaAs量子井戸の成長中断による平坦界面の形成
• 25pHD-11 T型量子細線における中性及び非中性電子・正孔系の光学利得の温度依存性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pHD-10 半導体量子細線における一次元電子正孔光学利得の静的遮蔽相互作用形状依存性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aPS-85 共鳴・非共鳴励起条件下における非ドープGaAs量子井戸の発光減衰(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 30a-YH-2 ソリッドイマージョン顕微画像計測法の特性評価
• 30a-YH-1 ソリッドイマジョンレンズを用いた高空間分解発光画像計測の応用
• 5p-J-10 ワイエルストラス球型ソリッドイマージョンレンズの収差、空間分解能
• 5p-J-9 SILを用いた高空間分解顕微発光像の低温測定
• 5p-J-8 ソリッドイマージョンレンズ(SIL)用いたGaAs多重量子井戸からの顕微発光像の測定

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク