CTAB/Siヘテロ接合試料の電気特性(デバイス・評価,有機デバイス全般・一般)
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概要
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我々は有機材料によるp-nホモ接合を実現することを目的とし,界面活性剤であるCetyl Trimethyl Ammonium Bromide:CTABと,不純物にヨウ化カリウム:KIを用いて試料を作製している.これまで、抵抗率、その温度依存性,光導電性などの測定を行い,半導体的性質を検討してきた.また、CTAB試料でホモ接合試料を作製し、ダイオード特性が得られた.CTAB試料がp型,n型に作り分けられているかを確認するために,これまでGaAsを用い,ヘテロ接合を作製し特性の検討を試みた.今回さらにSiを用いて,p-C_<16>TAB/n-Siとn-C_<16>TAB/p-Siの2種類のヘテロ接合試料を作製した.作製した試料のI-V特性を測定し,特性評価を行った.また,ヘテロ接合試料のバンド構造の検討を行い,GaAsで得れらた電子親和力の値2.6eVとほぼ同じ,約2.5eVが推定できた.さらに,その電子親和力の値を用いて,C_<16>TABのフェルミ準位の検討を行った.
- 2012-10-10
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