CTAB/GaAsヘテロ構造の電気的特性(作製プロセス・電気的特性・デバイス,有機デバイス全般・一般)
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概要
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我々は有機材料によるp-nホモ接合を実現することを目的とし,界面活性剤であるCetyl Trimethyl Ammonium Bromide: CTABと,不純物にヨウ化カリウム:KIを用いて試料を作製した.これまで、抵抗率、温度依存性、光導電性などの測定を行い,半導体的性質の有無を検討してきた.また、CTAB試料でホモp-n接合試料を作製し、ダイオード特性が得られた.今回,CTAB試料がp型,n型に作り分けられているかを確認するために,p-C_<16>TAB/n-GaAsとn-C_<16>TAB/p-GaAsの2種類のヘテロ接合試料を作製した.作製した試料のI-V特性と整流特性を測定し,特性評価を行った.また,ヘテロ接合試料のバンド構造の検討を行い,電子親和力が約2.6eVであると推定できた.
- 2011-10-07
著者
-
田口 真理
日本女子大学理学研究科
-
今井 元
日本女子大学理学部
-
今井 元
日本女子大学
-
小澤 あつみ
日本女子大学理学部
-
小澤 あつみ
日本女子大学家政学部家政理学科一部物理学教室
-
小澤 あつみ
日本女子大学
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