15-4 アモルファスIGZO TFTのシミュレータの開発(第15部門情報ディスプレイ)
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概要
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A new accurate and computationally efficient device simulator for amorphous IGZO TFTs is developed. The simulator takes into account the influence of trap states in the band gap to reproduce the gradual increase of the subthershold current. Calculations using the simulator produce results that are good agreement with measurements over a wide range of gate voltage.
- 一般社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2012-08-29
著者
-
佐藤 弘人
NHK放送技術研究所
-
藤掛 英夫
NHK放送技術研究所
-
中嶋 宜樹
NHK放送技術研究所(表示・機能素子研究部)
-
山本 敏裕
NHK放送技術研究所(表示・機能素子研究部)
-
藤掛 英夫
Nhk放送技術研究所 表示・機能素子研究部
-
武井 達哉
Nhk放送技術研究所 (表示・機能素子研究部)
-
山本 敏裕
Nhk放送技術研究所 (表示・機能素子研究部)
-
中田 充
NHK放送技術研究所
-
辻 博史
NHK放送技術研究所
-
武井 達哉
Nhk放送技術研究所
-
藤崎 好英
Nhk放送技術研究所
-
山本 敏裕
Nhk放送技術研究所
-
中嶋 宜樹
Nhk放送技術研究所
-
藤掛 英夫
NHK放送技術研究所表示・機能素子研究部
-
佐藤 弘人
NHK放送技術研究所(表示・機能素子研究部)
-
山本 敏裕
NHK 放送技術研究所材料・デバイス
-
藤崎 好英
NHK放送技術研究所(新機能デバイス研究部)
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