15-2 酸化物半導体TFT特性の半導体膜厚依存性(第15部門情報ディスプレイ)
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概要
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We investigated the dependence of InGaZnO (IGZO) thin-film transistor characteristics on IGZO thickness. The ON current was nearly constant with respect to IGZO thickness. The threshold voltage shifted negatively with increasing IGZO thickness because a thicker IGZO film requires a higher negative gate voltage for it to be fully depleted.
- 2012-08-29
著者
-
佐藤 弘人
NHK放送技術研究所
-
藤掛 英夫
NHK放送技術研究所
-
中嶋 宜樹
NHK放送技術研究所(表示・機能素子研究部)
-
山本 敏裕
NHK放送技術研究所(表示・機能素子研究部)
-
藤掛 英夫
Nhk放送技術研究所 表示・機能素子研究部
-
武井 達哉
Nhk放送技術研究所 (表示・機能素子研究部)
-
山本 敏裕
Nhk放送技術研究所 (表示・機能素子研究部)
-
中田 充
NHK放送技術研究所
-
辻 博史
NHK放送技術研究所
-
武井 達哉
Nhk放送技術研究所
-
藤崎 好英
Nhk放送技術研究所
-
山本 敏裕
Nhk放送技術研究所
-
中嶋 宜樹
Nhk放送技術研究所
-
藤掛 英夫
NHK放送技術研究所表示・機能素子研究部
-
佐藤 弘人
NHK放送技術研究所(表示・機能素子研究部)
-
山本 敏裕
NHK 放送技術研究所材料・デバイス
-
藤崎 好英
NHK放送技術研究所(新機能デバイス研究部)
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