15-1 極薄フィルム上に形成した酸化物半導体TFTの湾曲評価(第15部門情報ディスプレイ)
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概要
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Bending tolerance of InGaZnO4 (IGZO) TFTs formed on an ultrathin polyimide film was evaluated. The IGZO layer and a SiOx gate insulator were formed at room temperature and annealed at 130℃ in ambient air. We found that the TFT characteristics were maintained even after the device was rolled at a small radius of 1mm.
- 一般社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2012-08-29
著者
-
佐藤 弘人
NHK放送技術研究所
-
藤掛 英夫
NHK放送技術研究所
-
中嶋 宜樹
NHK放送技術研究所(表示・機能素子研究部)
-
本村 玄一
NHK放送技術研究所(表示・機能素子研究部)
-
山本 敏裕
NHK放送技術研究所(表示・機能素子研究部)
-
藤掛 英夫
Nhk放送技術研究所 表示・機能素子研究部
-
本村 玄一
Nhk放送技術研究所 (表示・機能素子研究部)
-
武井 達哉
Nhk放送技術研究所 (表示・機能素子研究部)
-
山本 敏裕
Nhk放送技術研究所 (表示・機能素子研究部)
-
中田 充
NHK放送技術研究所
-
辻 博史
NHK放送技術研究所
-
武井 達哉
Nhk放送技術研究所
-
藤崎 好英
Nhk放送技術研究所
-
山本 敏裕
Nhk放送技術研究所
-
中嶋 宜樹
Nhk放送技術研究所
-
本村 玄一
NHK放送技術研究所
-
藤掛 英夫
NHK放送技術研究所表示・機能素子研究部
-
山本 敏裕
NHK放送技術研究所表示・機能素子研究部
-
本村 玄一
NHK放送技術研究所表示・機能素子研究部
-
佐藤 弘人
NHK放送技術研究所(表示・機能素子研究部)
-
山本 敏裕
NHK 放送技術研究所材料・デバイス
-
藤崎 好英
NHK放送技術研究所(新機能デバイス研究部)
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