24aCC-1 ホモエピタキシー成長中のRHEED強度振動の起源 : Si(001)とGaAs(001)の比較(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2012-03-05

著者

• 川村 隆明

  山梨大

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