川村 隆明 | 山梨大
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概要
関連著者
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川村 隆明
山梨大
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川村 隆明
山梨大学
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深町 共栄
埼玉工大
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吉沢 正美
埼玉工大
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山梨大・教育
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周 聖明
埼玉工大
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田中 利幸
東京都立大学大学院 工学研究科
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早大理工総合研
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田中 利幸
京都大学大学院情報学研究科
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徐 章程
安徽大
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戚 澤明
安徽大
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渡辺 紳一郎
埼玉工大
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大嶋 良則
埼玉工大
著作論文
- 27pYG-11 GaAs(001)ホモエピタキシャル成長中のRHEED強度振動の起源(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 19aYM-8 結晶X線ウェーブガイドにおける濃縮効果(X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23aWS-2 GaAs(001)面上MBE成長モフォロジーとRHEED強度振動(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 5a-P-8 GaAsにおけるGa K吸収端近傍での共鳴散乱ペンデルビート
- 5a-P-7 共鳴散乱ペンデルビート法によるGeのf'決定
- 1a-N-10 X線共鳴散乱による干渉縞
- 20aTH-10 共鳴動力学回折によるGe K吸収端における異常散乱因子の決定
- 先端追跡
- 31p-A-14 共鳴散乱を伴う動力学回折におけるポインティングベクトル
- 2a-KK-5 吸収端を交差した回折強度の温度依存性(ラウエケース)II
- 11p-T-9 吸収端を交差した回折強度の温度依存性(ラウエケース)
- 25pTG-10 GaAs(001)面上の島形状によるRHEED強度変化(25pTG 表面界面構造(半導体・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 7a-X-3 非対称反射条件下でのBormann効果の理論的考察(Laue case)
- 24aCC-1 ホモエピタキシー成長中のRHEED強度振動の起源 : Si(001)とGaAs(001)の比較(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 31a-M3-7 X線共鳴散乱による干渉縞の検出:Ge(X線・粒子線)