604 シリコン-カーボン系における構造とスペクトルの相関(セッション6)
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概要
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Carbon-mantle SiC grains with 0.2 volume fraction of carbon has been predominantly produced by evaporating of silicon from the special designed carbon boat in Ar gas. IR spectra showed the strong feature at 11.3 μm in agreement with data seen in circumsteller dusts. By the in situ observation by high resolution electron microscopy, it turns out that this carbon layer solved into SiC completely at 800 ℃ in vacuum. By cooling down SiC with the solved carbon, the carbon layer emerged to the SiC surface. The growth process of carbon-mantle SiC grains have been discussed on the basis of the result of the present in-situ observation.
- 日本惑星科学会の論文
- 2001-10-06
著者
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