PINダイオード容量補償シリーズ型2段構成SPDT高周波スイッチ(学生研究発表会,学生研究会/マイクロ波一般)
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概要
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PINダイオード容量の補償を考慮した2段構成シリーズ型SPDT高周波スイッチを製作した。高周波スイッチは無線通信機器で使用され,低挿入損・高アイソレーションが求められる.PINダイオードを用いて高周波スイッチを製作する場合,良好な特性を得るためにはPINダイオード容量の影響を考慮する必要がある.本研究では,PINダイオード容量を伝送線路によって補償した高周波スイッチを製作した.測定の結果,2.5GHzにおいて,0.5dB以下の挿入損,45dB以上のアイソレーションが得られ,シミュレーションとの一致も良好であった.
- 2011-10-13
著者
-
田原 稔
富山大学工学部
-
坂上 岩太
富山大
-
王 小龍
富山大学工学部
-
坂上 岩太
富山大学工学部
-
高橋 健作
富山大学工学部
-
岡村 信吾
富山大学工学部
-
坂上 岩太
富山大学工学部電子電気システム工学科
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