205 原子レベルシミュレーションに基づくSiO_2環境助長割れ進展メカニズムの検討(OS2-(2)オーガナイズドセッション《材料強度と構造設計》)
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概要
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The mechanism of evironment-assisted crack growth of SiO_2 is analyzed by using an atomistic simulation model. Potential energy changes in various elementary processes of which a crack propagation process consits are calculated Based on the calculated results it is found that the rate contorolling process of the crack growth in region I of the ν-K curve is the water transport process.
- 2010-08-27
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