312 SiO_2のき裂進展挙動の原子レベルシミュレーション(OS4-(1) 材料強度と構造設計,オーガナイズドセッション)
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概要
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The propagation behavior of a crack in SiO_2 is analyzed by using an atomistic simulation model. The relationship between crack velocity v and stress intensity factor K, v-K curve, is calculated based on the energy surfaces obtained by using this atomistic model. It is found that the calculated results coincide well with the experimental results in all three regions (region I, II, and III) of the v-K curve.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2009-08-25
著者
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