高速記録再生回路を有するReRAMテストマクロ : Conductive Bridge ReRAM with 2.3GB/s Read throughput and 216MB/s Program-throughput(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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概要

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• 従来型のメモリとしてDRAMとNANDは将来の微細化が困難になることが予想され,微細化に適した次世代メモリの技術開発が行われている.次世代メモリの候補のーつである抵抗変化型メモリReRAMについて,これまで多くのメモリセル材料の特性結果が報告されているが,そのメモリアレイに適した記録再生回路を有するマクロチップの報告は行われていない.本論文では,Cu-Teを導電材料とした層と薄膜の絶縁層からなる2層構造も持つconductive Bridge ReRAMのメモリセルを用いて,高速化を目的とした記録再生回路を含む周辺回路を備えた4Mbitテストマクロチップを試作し,その記録再生速度とデータ信頼性の結果について明らかにした.更に,目的とするアプリケーションへの適応が可能であることも示した.

• 2011-04-11

著者

• 宮田 幸児

  (株)ソニー半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門

• 北川 真

  (株)ソニー半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門

• 筒井 敬一

  (株)ソニー半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門

• 大塚 渉

  (株)ソニー半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門

• 対馬 朋人

  (株)ソニーストレージメモリ事業開発部門固体メモリ開発部

• 北川 真

  (株)ソニー 半導体事業本部 セミコンダクタテクノロジー開発部門

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