北川 真 | (株)ソニー 半導体事業本部 セミコンダクタテクノロジー開発部門

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概要

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関連著者

• 宮田 幸児

  (株)ソニー半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門

• 北川 真

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• 筒井 敬一

  (株)ソニー半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門

• 大塚 渉

  (株)ソニー半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門

• 対馬 朋人

  (株)ソニーストレージメモリ事業開発部門固体メモリ開発部

• 北川 真

  (株)ソニー 半導体事業本部 セミコンダクタテクノロジー開発部門

著作論文

• 高速記録再生回路を有するReRAMテストマクロ : Conductive Bridge ReRAM with 2.3GB/s Read throughput and 216MB/s Program-throughput(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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