垂直磁気異方性制御が可能なL1_0型Fe(Pd_xPt_<1-x>)の合金を用いたスピン注入書き込みMRAM用FePt基TMR積層膜の作製
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概要
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我々は、高い規則度を有しながら垂直磁気異方性磁界の制御が可能なL1_0-Fe(Pd,Pt)薄膜を作製した。本薄膜をスピン注入書き込み方式が採用される超高密度垂直磁化MRAMにおけるメモリセルの記憶層(TMR積層膜の磁化自由層)に用いることにより、スピン注入磁化反転電流の低減が期待される。また、本L1_0-Fe(Pd,Pt)薄膜を用いた保磁力差型の垂直磁化TMR積層膜を積層構造および熱処理条件の最適化により、高配向および高規則に作製することに成功し、超高密度垂直磁化MRAM用メモリセルの実現可能性を示した。
- 2010-10-07
著者
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江川 元太
秋田大学工学資源学部
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吉村 哲
秋田大学工学資源学部
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大宮 翔吾
秋田大学大学院工学資源学研究科
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吉村 哲
秋田大学大学院工学資源学研究科
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江川 元太
秋田大学大学院工学資源学研究科
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斉藤 準
秋田大学大学院工学資源学研究科
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