高速メモリインターフェース : DDR/GDDR-DRAM(高速メモリIF,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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概要

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• DDR/GDDR-DRAMの高速メモリインタフェースにおいて、制約の多いプロセス・デバイス技術で10Gb/s近いデータ転送速度を低消費電力で実現するために、DRAM特有のDLLやPLL、シグナルインテグリティ技術が数多く報告されている。3Dチップスタックも次世代の有力候補として注目されている。本講演では、高性能・低電力インタフェース回路を基礎から最先端技術まで概観し、将来技術動向の洞察を行う。

• 2010-04-15

著者

• 高井 康浩

  エルピーダメモリ株式会社テクノロジー&ディベロップメントオフィス

• 高井 康浩

  エルピーダメモリ(株)

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