原子層制御蒸着法により作製したホイスラー合金薄膜における局所磁性の温度依存性評価(光記録,磁気記録)
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概要
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Co系ホイスラー合金薄膜において,結晶規則度の違いや界面の影響による局所磁性の変化とその温度依存性の評価を行った.原子層制御交互蒸着法によって作製した結晶規則度の異なるCo_2TiSn単層膜と,界面での隣接原子種が異なるCo_2MnSn/(Cr or Ag)多層膜を評価の対象試料とした.局所磁性の評価のため,^<119>Sn原子核位置における局所的な内部磁場をメスバウアー分光法で測定した.その結果,Co_2TiSn単層膜においてはL2_1長距離規則度の違いによって内部磁場の大きさやその温度依存性が異なるという結果が得られた.一方,多層膜においては,Cr系ではCo_2MnSn界面の磁性への影響が強く,Ag系では界面の磁性への影響が少ないという結果が得られたが,何れの系においても内部磁場の界面成分の顕著な温度依存性はみられなかった.
- 2010-03-05
著者
-
堀 隆博
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
石川 佳樹
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
和田 悠希
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
田中 雅章
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
壬生 攻
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
壬生 攻
名工大工
-
壬生 攻
名古屋工業大学大学院 工学研究科
-
壬 生攻
名工大工:crest-jst
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