20pHW-3 開放型量子ドットにおける2重占有率 : 多電子散乱状態の厳密解によるアプローチ(20pHW 量子ドット理論,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2010-03-01

著者

• 羽田野 直道

  東大生研

• 西野 晃徳

  東大生研

• 今村 卓史

  東大先端研

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