GaAsFETを用いた反射型増幅器の雑音特性の検討
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概要
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マイクロ波帯低雑音増幅器では通常トランジスタ等を用い,二端子対回路型増幅器として構成することが多いが,単位増幅器あたりの利得が見込めない超高周波帯では,帰還回路を設けて負性抵抗を生じさせ反射型増幅器を構成する場合がある.しかし,反射型増幅器を構成した場合,帰還回路の影響により雑音も増加するのではないかとの懸念があった. 本報告では,GaAsFET 増幅器の雑音特性について,二端子対回路型,直列/ 並列帰還反射型増幅器の雑音解析回路モデルを明らかにし,両者に雑音特性の差異の無いことを明らかにした.
- 2010-03-31
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