差動型Si-ISFETの特性
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Scanistor回路を用いた固体撮像装置
- GaAs発光ダイオードの熱電冷却効果
- GaAsダイオードによるTV画像の光伝送
- GaAsダイオードとTV伝送
- アダマンタンによるダイヤモンド状炭素薄膜の堆積
- ストライプ状電極を持つa-Si:H PSD
- 高周波イオンプレーティング装置の製作
- 差動型Si-ISFETの特性
- 窒化シリコン膜を用いたトンネルMISスイッチ素子
- 湿度センサの特性 : RC時定数の周波数特性
- ISFETの試作
- タンタル酸リチウム薄膜の湿式作製とその感湿素子としての利用
- TiO_2-SnO_2系セラミック湿度センサのKOH処理効果
- SiトンネルMIS素子のターンオフ過渡特性
- SnO_2-TiO_2系セラミック感ガス抵抗素子
- 電荷制御法によるSiトンネルMIS素子のターンオン過渡特性の解析
- SiトンネルMIS素子のスイッチング特性(実験)
- 沈殿法によるTiO2-SnO2系セラミック湿度センサの特性
- TiO_2-SnO_2系セラミック感湿抵抗素子
- 8)シリコンMTIS三端子スイッチ素子(テレビジョン電子装置研究会(第67回) 画像表示研究会(第23回) 同合)
- ビジコン・カメラを用いた簡易型数字読取り装置(II)
- 薄い絶縁膜を持つSi負性抵抗素子
- ビジコン・カメラを用いた簡易型数字読取り装置(I)
- 2-1 自己走査型負性抵抗素子列のMOS形光センサへの応用
- GaAsおよびGaAlAsの液相エピタキシャル成長(II)
- 2)SiMTIS素子列の特性と走査回路への応用((第49回テレビジョン電子装置研究会 第7回画像表示研究会)合同研究会)
- 3-5 パルス読取り式MOS形撮像装置の基礎実験
- 9)1次元集積化スキャニスタの特性(第41回テレビジョン電子装置研究会)
- 一次元集積化スキャニスタ
- GaAsおよびGaAlAsの液相エピタキシャル成長(I)
- 3-22 負性抵抗素子を用いたシフトレジスタによるCdSeダイオードの走査実験
- 銀イオンセンサとしての非晶質As_2Se_3:Ag電極
- 縦続位相検波器による位相フィルタの合成
- 3-23 SW用薄膜トランジスターを用いた固体撮像装置
- 3-13 薄膜Cdseダイオード列の走査実験
- 光導電体 : ダイオードを用いた固体撮像装置
- 4-18 CdSe photoconductor-diode列の走査実験
- 3-9 CdSダイオード.マトリックスを使用した撮像パネルの試作
- 3-10 焦電効果を用いたVidicon Target
- GaAsへのZn拡散(I)
- 4-19 集積化スキャニスターの試作
- 固体撮像装置に対する一考察と走査実験
- 1)固体撮像装置の走査方式に対する考察と一実験 (第3回 固体画像変換装置研究委員会)
- 拡散法および液相成長法によるGaAsレーザダイオード
- GaAs発光ダイオード上へのSiO薄膜蒸着
- Au-n形GaAs表面障壁ホトキャパシタおよびそのFM回路等への応用