0-1整数計画法を用いた半導体メモリの不良セル救済プログラム(ディペンダブルコンピューティング)
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概要
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半導体メモリ製造においては,実際の読み書きを行うセルとは別に複数の予備のセルを設計段階から用意しておき,メモリテストで不良セルを検出した場合,予備のセルに切り換えることによって不良を救済し,歩留りを向上させている.予備セルとそれを用いて救済する不良セルの組合せは,予備のセルの構成と不良セルの配置に基づいて決定しなければならない.その決定アルゴリズムは厳密手法と発見的手法の二つに大別される.今回我々はこの問題を0-1整数計画法として定式化し,これを厳密に解くことによって不良セルの救済を行う方法を開発した.また0-1整数計画法の解法として緩和法に基づくアルゴリズムを適用した不良セル救済プログラムを開発し,性能を評価した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-11-01
著者
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伊藤 直史
群馬大学大学院工学研究科:(現)群馬大学工学部電気電子工学科
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伊藤 直史
群馬大学大学院 工学研究科 電気電子工学専攻
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黒崎 真由
群馬大学大学院工学研究科
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伊藤 直史
群馬大学大学院工学研究科
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伊藤 直史
群馬大学 大学院 工学研究科
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