MOSFETとpn接合ダイオードにより構成される新しいバラクタ回路を用いた広帯域電圧制御発振器(能動回路,<特集>マイクロ波論文(大学発))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
新しい高可変率バラクタ回路を提案し,4GHz帯SiGe広帯域VCO IC (Voltage Controlled Oscillator)を実現したので報告する.この高可変率バラクタは,pn接合ダイオード,ドレーン・ソース間を短絡しないMOSバラクタから構成され,VCOのチューニングレンジを大幅に拡大する.また,バラクタ回路を複数個並列に接続し,各バラクタ素子のコントロール電圧端子に電圧レベルシフト回路を接続することで,コントロール電圧対発振周波数のリニアリテイを改善した.更に,新しい提案のバラクタ回路を用いたVCO ICを0.35μm SiGe BiCMOSプロセスを用いて設計,試作,評価した結果,中心周波数に対してチューニングレンジ48%を得た.これは,従来型の同じプロセスを用いたVCO ICと比較して約3倍のチューニングレンジの拡大であり,本提案のバラクタ回路がVCOチューニングレンジの広帯域化に有効であることを実証した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-12-01
著者
-
伊藤 信之
株式会社東芝セミコンダクター社
-
伊藤 信之
(株)東芝 セミコンダクター社 アナログペリフェラル統括部
-
吉増 敏彦
早稲田大学
-
太田 宙志
早稲田大学大学院情報生産システム研究科
-
倉智 聡
早稲田大学大学院情報生産システム研究科
-
米村 浩二
(株)東芝セミコンダクター社
-
米村 浩二
株式会社東芝セミコンダクター社
-
吉増 敏彦
早稲田大学大学院情報生産システム研究科
-
倉智 聡
早稲田大学大学院情報生産システム研究科:(株)東芝セミコンダクター社
関連論文
- [特別講演]2003年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告(マイクロ波シミュレータ/一般/学生会)
- 2006年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム(IMS2006)出席報告(学生研究会,マイクロ波シミュレータ,一般)
- MOSFETとpn接合ダイオードにより構成される新しいバラクタ回路を用いた広帯域電圧制御発振器(能動回路,マイクロ波論文(大学発))
- C-2-17 SiGe BiCMOS技術を用いたマイクロ波広帯域VCO IC(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-10 SiGe BiCMOSを用いた高線形VCO IC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- マイクロ波シンセサイザ入門[V・完] : 発振器の集積化と携帯電話への応用
- 1200MHz共振器内蔵電圧制御発振器
- 1200MHz共振器内蔵電圧制御発振器
- 1200MHz共振器内蔵電圧制御発振器
- 無線LAN用RF/IFチップセット (特集 無線LAN技術)
- C-10-6 製造エネルギを考慮した薄膜トランジスタと単結晶シリコンMOSFETのエネルギ利用効率比較(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)