17aB02 液相成長によるInP(100)基板上のInP ELO成長層の形状制御(半導体エピ(1),第35回結晶成長国内会議)

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概要

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• InP ELO layers were grown on InP(100) substrate by LPE. For ELO, stripe patterns of 50-300μm spacing period that oriented 60° off the <011> direction were formed on substrates. The shapes of ELO layers depend on the spacing periods, the cooling rate and the saturation degrees. Additionally, ELO layers became thinner and wider owing to the Ge doping.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2005-08-17

著者

• 高橋 信一

  慶大理工

• 藤田 武志

  慶大理工

• 樋口 絢一

  慶大理工

• 野本 昌宏

  慶大理工

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