02aB04 LPEによるGaAs(111)B基板上の格子不整合系InGaP ELO一面成長(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)

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概要

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• We performed InGaP lattice-mismatched LPE on the GaAs(111)B substrate by ELO technique. By optimizing the growth time and the atomic fractions of Ga and P in the growth melts, we could obtain In_<0.79>Ga_<0.21>P virtual substrate with good reproducibiliry. Furthermore, we investigated the effect of Ge doping for improving ELO growth.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2006-11-01

著者

• 高橋 信一

  慶大理工

• 南宮 麻紀

  慶大理工

• 植松 俊介

  慶大理工

• 梶田 雅人

  慶大理工

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