シリコンCMOSチップ背面の厚い絶縁体層上ミリ波ダイポールアンテナ
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概要
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60GHzシリコンCMOSチップのRF回路層の反対面上に厚い絶縁体層を設けダイポールアンテナを穴を介して集積化する構造を提案する。厚い絶縁体層は放射効率を向上させる。アンテナとRF回路の接続損の低減が期待できる。5mm四方のシリコンチップ上に厚さ200μmの絶縁体層に設けたダイポールアンテナの利得の計算値は5.4dBiである。実験において反射が-6dBあるにもかかわらず利得3.1dBiが得られた。レーザの穴あけによる穴やポストの側面の粗さ,厚さ2μmの薄い銅の形成,測定における接続損が利得低下をもたらしていると思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-03-02
著者
-
広川 二郎
東京工業大学電気電子工学専攻
-
安藤 真
東京工業大学 電気電子工学専攻
-
平地 康剛
東京工業大学大学院理工学研究科
-
安藤 真
東京工業大学
-
平地 康剛
株式会社アムシス
-
平地 康剛
(株)アムシス
-
君島 健太
東京工業大学大学院電気電子工学専攻
-
広川 二郎
東京工業大学
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