28pXD-5 ZnO中に植え込まれた短寿命核^<12>Nによる電場勾配観測(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-03-04
著者
-
福田 光順
埼玉大
-
松宮 亮平
阪大理
-
泉川 卓司
新潟大RI
-
南園 忠則
福井工大
-
松多 健策
阪大院理
-
三原 基嗣
阪大院理
-
福田 光順
阪大院理
-
松宮 亮平
阪大院理
-
福田 光順
大阪大理
-
泉川 卓司
新潟大riセンター
-
三原 基嗣
大阪大理
-
三原 基嗣
大阪大学
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