26aXL-2 Be/Si対デルタドープGaAs構造の局在スピン(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-08-18

著者

• 大塚 信雄

  北陸先端大・材料

• 大塚 信雄

  北陸先端大

• Noh J.P.

  北陸先端大マテリアルサイエンス

• 岩崎 晋

  北陸先端大マテリアルサイエンス

• Jung D.W.

  北陸先端大マテリアルサイエンス

• Islam A.Z.M.

  北陸先端大マテリアルサイエンス

関連論文

• 7a-C-2 溶液中におけるC_会合体の生成とその安定化(II)
• 溶液中におけるC_会合体の生成
• 17pPSA-21 伝導性酸化物中に分散された鉄ナノ微粒子の磁性と伝導
• 30aXE-3 MgCl_2/Ag薄膜のラマン分光法による観察
• 31a-S-13 活性度の異なるZiegler-Natta触媒のX線回折及びラマン散乱観察
• 6a-H-4 Ziegler-Natta触媒の活性状態の研究 : TiCl_3のラマンスペクトル
• 25a-YM-10 GaAs(001)の電荷誘起再配列における連続的な変調周期の変化
• 2a-YF-12 GaAs(001)の長周期再配列構造
• 21aYK-10 高濃度にドナーとアクセプター不純物を注入したGaAs膜における電子間相互作用(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 24aTG-8 Be/SiデルタドープGaAs構造における強磁性クラスターの形成とKondo効果(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aXL-2 Be/Si対デルタドープGaAs構造の局在スピン(26aXL 半導体スピン物性(実験),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25a-T-13 MBE低温成長GaAs膜のラマン散乱による解析
• 8p-E-7 半導体中での金属クラスター形成過程への伝導電子・正孔の影響

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク