30aXC-4 ジョセフソン接合を使った制御可能な磁束輸送回路の実験(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
28a-PS-81 金属-重水素系の強磁場効果
-
AFM局所酸化法を用いた強磁性ナノ構造の電気特性・磁区構造の変調
-
23aWQ-4 エネルギーギャップを制御できる4接合量子ビットにおける単一井戸領域の測定(23aWQ 微小接合,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
-
27a-YJ-6 Coトンネル接合の低温におけるトンネル磁気抵抗
-
25aXL-8 金属粉末を使用した低温実験用マイクロ波フィルターの特性(超電導・電荷密度波,領域6(金属,超低音,超電導・密度波))
-
高分子相転移に対する直流磁場効果
-
28a-PS-82 高分子重水ゲルの磁場効果
-
28a-YS-6 LaCo_5H_xの強磁場磁性
-
25a-PS-77 ゾルーゲル相転移に対する強磁場効果
-
2p-Y-13 Y_Zr_xCo_5の遍歴電子磁性
-
1p-W-9 Ni/Al-Al_2O_3/Co接合の磁気抵抗III
-
30p-X-3 ゾルゲル相転移に対する強磁場効果
-
高分子のゾル-ゲル相転移に対する磁場効果
-
7a-YG-8 Ni/Al-Al_2O_3/Co接合の磁気抵抗II
-
5p-YK-6 Y(Co_Ni_x)_5の遍歴電子磁性
-
高分子のゾル-ゲル相転移に対する磁場効果
-
27aVE-8 バリア高さを制御できる4接合磁束量子ビットのエネルギー分光(27aVE 微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
Environmental Effect on Coulomb Blockade in Ultrasmall Single Tunnel Junctions
-
Superconductor-Insulator Transition in Ultrasmall Single Tunnel Junctions
-
23pWJ-9 バリア高さと信号位置を制御できる4接合磁束量子ビットの実験(量子ドット,微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
18aRC-7 結合度を制御することのできる磁束輸送回路II : DC-SQUIDの非対称性の評価(微小接合,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
30aXC-4 ジョセフソン接合を使った制御可能な磁束輸送回路の実験(30aXC 微小ジョセフソン接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27pYG-12 超伝導細線のインダクタンス測定及び相互インダクタンスで結合した磁束量子ビットの作る磁束信号の解析(微小金属/超伝導体/ジョセフソン結合)(領域4)
-
28aYH-8 結合した 2 個の磁束量子ビットの磁束測定
-
29pTB-5 3個のジョセフソン接合で構成される磁束型量子ビットの実験
-
31a-L-9 Y_Zr_xCo_3の遍歴電子磁性
-
Environmental Effect on Ultrasmall Josephson Junctions
-
Dependence of Coulomb Blockade in Ultrasmall Single Tunnel Junctions on Tunnel Resistance
-
24aBJ-5 低エネルギー振動子モードと結合した磁束量子ビットにおけるBlue sidebandのラビ振動の観測(24aBJ 微小接合・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20pFB-1 低エネルギー振動子モードと結合した磁束量子ビットにおけるBlue sidebandのラビ振動の観測II(20pFB 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
29pXQ-3 磁束量子ビットにおけるサイドバンドラビ振動数からの結合定数の推定(29pXQ 量子ドット・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク