28aXB-12 2次元ナノデバイスの構造と電気伝導率(28aXB 量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 富谷 光良

  成蹊大理工

• 坂本 昇一

  成蹊大理工

• 大町 芳史

  成蹊大理工

• 富谷 光良

  成蹊大学 計測数理工学科

• 坂本 昇一

  成蹊大学物理計測研究室

• 富谷 光良

  成蹊大学物理計測研究室

• 大町 芳史

  成蹊大学物理計測研究室

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