21pTD-7 遷移金属L_<2,3>端XANESによる希薄磁性半導体中の磁性イオンの局所環境解析(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
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概要
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- 2007-08-21
著者
-
田中 功
京都大学大学院工学研究科
-
大場 史康
京都大学大学院工学研究科
-
山本 知之
早大理工
-
園田 早紀
京工繊工芸
-
池野 豪一
京都工
-
林 博之
京都工
-
大場 史康
京都工
-
田中 功
京都工
-
池野 豪一
京大工
-
田中 功
京大 大学院工学研究科
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