2.2 メゾプラズマCVDによる高速低温堆積技術応用(2.CVD,粒子合成への応用,熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス)

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概要

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• 0.1〜10Torr前後の中間的な圧力領域にあるメゾプラズマでは,低ガス温度,低電子エネルギーの反応場を提供しつつ,高速ガス流の特性から原料ガスの高フラックスも期待される.この特徴は,高品質薄膜と同時に高いスループットが要求されるジャイアントエレクトロニクス製造プロセスの技術要件に整合し,本プラズマを基本とした新たなデバイスプロセス技術としての可能性が考えられる.これを踏まえ,本稿では,メゾプラズマCVDによる高速度,低温度での高品質シリコンエピタキシャル薄膜堆積について紹介する.

• 2009-02-25

著者

• 神原 淳

  東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻

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