21pRB-7 Czochralskiシリコン結晶成長における点欠陥の挙動と制御(21pRB 領域10シンポジウム:シリコン結晶中の単原子空孔:量子状態解明の新たな展開と半導体技術イノベーション,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-08-25

著者

• 中村 浩三

  Sumco Techxiv(株)

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