Switching Dynamics of Bi_2Sr_2CaCu_2O_<8+δ> Intrinsic Josephson Junctions : Macroscopic Quantum Tunneling and Self-Heating Effect(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
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概要
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The switching dynamics of current-biased Bi_2Sr_2CaCu_2O_<8+δ> intrinsic Josephson junctions (IJJs) was studied to clarify the effects of d-wave superconductivity and the stack structure on switching properties. High-quality IJJs were fabricated, and then the temperature dependence of the switching probability distribution was measured for the first and second switchings. Although the standard deviation of the distribution detected for both switchings showed similar saturation characteristics with decreasing temperature, the temperature at saturation was about thirteenfold higher for the second switching than for the first switching. The properties of the first switching can be explained in terms of a conventional underdamped JJ, that is, macroscopic quantum tunneling below the crossover temperature, and thermal activation with a quality factor of 70±20 above the crossover temperature. In contrast, the relatively higher effective temperature for the second switching evaluated from the switching probability distribution suggests a predominant thermal activation process under the influence of the self-heating effect even at sufficiently low temperatures.
- 2008-10-15
著者
-
田仲 由喜夫
名大院工
-
EISAKI Hiroshi
Nanoelectronics Research Institute (NeRI), AIST
-
Eisaki Hiroshi
Nanoelectronics Research Institute (neri) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tech
-
YOSHIDA Yoshiyuki
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
-
Kashiwaya S
Nanoelectronics Research Institute (neri) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tech
-
Tanaka Yasuaki
Ntt Interdisciplinary Research Laboratories
-
Tanaka Y
Tokyo Univ. Agriculture And Technol. Koganei Jpn
-
YOSHIDA Yoshiyuki
Nanoelectronics Research Institute, AIST
-
Koikegami S
Jsps Tokyo
-
Koikegami Shigeru
Jsps:(present Address) Advance Soft And Iis University Of Tokyo
-
Koikegami Shigeru
Nanoelectronics Research Institute
-
Yoshida Yoshiyuki
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Ibaraki Jpn
-
Koike Soh
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba:electrotechnical Laboratory
-
MATSUMOTO Tetsuro
Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Tec
-
KASHIWAYA Hiromi
Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Tec
-
SHIBATA Hajime
Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Tec
-
KASHIWAYA Satoshi
Nanoelectronics Research Institute (NeRI), National Institute of Advanced Industrial Science and Tec
-
KAWABATA Shiro
Nanotechnology Research Institute, AIST
-
TANAKA Yukio
Department of Applied Physics, Nagoya University
-
Koike S
Department Of Physics Ii Science University Of Tokyo
-
Tanaka Y
Ntt Interdisciplinary Research Lab. Tokyo
-
Yoshida Yoshiyuki
Nanoelectronics Research Institute (neri) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tech
-
Kohjiro S
Electrotechnical Lab. Tsukuba Jpn
-
Shibata Hajime
Nanoelectronics Research Institute (neri) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tech
-
Kawabata Shiro
Nanotechnology Research Institute Aist
-
Matsumoto Tetsuro
Nanoelectronics Research Institute (neri) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tech
-
Kashiwaya Hiromi
Nanoelectronics Research Institute (neri) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tech
-
Tanaka Yukio
Department Of Applied Physics Nagoya University
-
Kashiwaya Satoshi
Nanoelectronics Research Institute (neri) National Institute Of Advanced Industrial Science And Tech
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