スピンエッチングによるφ300mmウェハのステイン膜形成(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))

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概要

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• 従来、浸漬式によるステイン膜(ポーラスシリコン)形成が報告されている。スピンエッチングを用いた表面処理技術としてステイン膜形成を試みる。ステイン膜のアプリケーションとしては、薄ウェハ化後の裏面膜絶縁、保護、3次元実装等への応用が考えられる。ウェハは300mmP型ウェハを使用する。HF:HNO3:H2Oを用い薬液組成を検討した。スピンエッチングではウェハ上の薬液の流れ方でステイン膜厚の分布が変化するため、エッチングパラメータの最適化を行った。その結果ステイン膜をウェハ全面で均一に形成できた。

• 2008-06-06

著者

• 渡辺 正晴

  日本エスイーゼット株式会社

• 佐藤 啓介

  日本エスイーゼット株式会社

• 増本 哲己

  日本エスイーゼット株式会社

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