低消費電力・低アスペクト比半導体レーザ(光部品の実装・信頼性,一般)

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概要

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• 我々はリッジ型構造を用いて,低消費電力・低アスペクト比を特徴とするレーザを開発・製品化しており,50mW(CW)動作時の駆動電流は25℃で67mA,70℃で79mA,特性温度Toは179K(25-50℃)および145K(50-70℃)を実現している.消費電力は当社独自構造で低消費電力の特長をもつS^3(Self-aligned Stepped Substrate)型と同等程度に抑えられており,50mW(CW)動作時のFFP半値角は垂直方向が16.4deg,水平方向が12.8degの低アスペクト比(=1.28)を実現している.信頼性試験においては,1,200時間の50mW(CW)光出力で安定動作しており,MTTFは10,000時間以上と優れた特性を確認している.本レーザは特性,量産性の両面で優れており,光ディスク関連製品への適用が期待される.

• 2008-04-11

著者

• 後藤 修

  ユーディナデバイス株式会社

• 上田 誠

  ユーディナデバイス株式会社

• 住友 弘幸

  ユーディナデバイス株式会社

• 山本 達

  ユーディナデバイス株式会社

• 小栗 裕之

  ユーディナデバイス株式会社

• 梶山 訓

  ユーディナデバイス株式会社

• 中尾 健誠

  ユーディナデバイス株式会社

• 天野 秀則

  ユーディナデバイス株式会社

• 里吉 洋忠

  ユーディナデバイス株式会社

• 喜夛 敏弘

  ユーディナデバイス株式会社

• 和泉 茂一

  ユーディナデバイス株式会社

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