整数量子ホール効果の実験 : 量子化ホール抵抗の崩壊(量子ホール効果及び関連する物理,研究会報告)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
量子ホール効果発見以来、無散逸状態の存在がホール抵抗の量子化の必要条件とされてきた。また、高電流による無散逸状態のブレイクダウン現象は量子ホール効果のブレイクダウンとして研究されてきた。最近発見したブレイクダウン電流以下の電流で現れる量子化ホール抵抗の崩壊に基づいて、量子ホール効果における散逸状態と無散逸状態について、実験を説明する模型を考察する。
- 素粒子論グループ 素粒子研究編集部の論文
- 1999-07-20
著者
関連論文
- 整数量子ホール効果の実験 : 量子化ホール抵抗の崩壊(量子ホール効果及び関連する物理,研究会報告)
- 整数量子ホール効果の実験 : 量子化ホール抵抗の崩壊(基研研究会「量子ホール効果及び関連する物理」,研究会報告)
- 用語について
- 夢を表面に託す : 表面・界面の物理について想うこと ( 表面)
- 量子ホール効果
- シリコンMOS反転層の強磁場下の電気伝導の測定と電子局在(強磁場の発生と物性への応用 II. 物性をさぐる)
- 30p-N-10 量子ホール効果状態におけるプラトー巾の資料巾依存性II
- 量子ホール効果のブレークダウンの試料形状依存性
- 量子ホール効果のブレークダウンの試料形状依存性
- Si-P-N Junction のGeneration-Recombination Center IV : 半導体・イオン結晶・光物性
- CdTeのA,B面の電気的性質II(半導体(化合物))