Charge Transport after Hard Breakdown in Gate Oxides
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 2002-04-30
著者
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Heyns M.m.
Interuniversity Microelectronics Center
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BEARDA T.
Interuniversity Microelectronics Center
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WOERLEE P.H.
University of Twente
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WALLINGA H.
University of Twente