ニューロンMOSを用いた4値Tゲートに関する研究(ニューロハードウェア,「ニューロハードウェア」及び「一般」)
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概要
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本稿では,多値信号を識別する手段としてニューロンMOSトランジスタの可変閾値を用いた4値Tゲートを提案する.ニューロンMOSトランジスタは標準CMOSプロセスのDouble Poly Siで実現できるため,生産コストを抑えることができるだけでなく,2値論理回路との混在も容易にできる.Tゲートは,制御変数の値に応じて入力Pi(i=0,1,…,R-1)の1つを選択する機能を有する.Tゲートは複数のTゲートを組み合わせることで,任意の多値論理回路網を構成できるというユニバーサルロジックモジュールの1つである.4値Tゲートを用いた応用回路として、4値シフトレジスタを構成し,解析を行った.本稿の回路は,標準CMOSプロセスでの製造を考慮し,CMOS 1.2μmプロセスのデバイスパラメータを用いて設計されており,HSPICEによるシミュレーションで動作を確認している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-04
著者
-
深井 澄夫
佐賀大学理工学部電気電子工学科
-
石川 洋平
Institure Of Applied Earth Sciences Mining College Akita University
-
石川 洋平
有明工業高等専門学校
-
石丸 佳和
佐賀大学
-
近藤 弘康
佐賀大学
-
近藤 弘康
佐賀大学理工学部
-
深井 澄夫
佐賀大学
-
石丸 佳和
佐賀大学理工学部
-
深井 澄夫
佐賀大
-
深井 澄夫
佐賀大学理工学部
-
石川 洋平
有明工業高等専門学校 電子情報工学科
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