25pA44P スナバを使用しないMOSFET式誘導性パルスパワー電源の検討(プラズマ基礎, (社) プラズマ・核融合学会第21回年会)
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概要
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FET (電界効果トランジスタ) は、高ドレイン耐圧、低オン抵抗の素子開発が行われ、パルスパワー発生装置のスイッチング素子に使用されるようになった。大容量化のためFETを多数、直並列に接続して使用する場合、通常は素子破壊防止のため素子と並列にスナバ回路が接続されるが、立ち上がり時間が増加してしまう。本研究では、スナバ回路を使用しないMOS-FET式マルチレベルパルス発生回路について、FETの永久破壊を起こさない安定動作保証条件を検討する。
- 社団法人プラズマ・核融合学会の論文
- 2004-11-20
著者
-
柳平 丈志
茨城大学工学部電気電子工学科 高電圧パルスパワー研究室
-
鶴田 浩一
茨城大学工学部電気電子工学科 高電圧パルスパワー研究室
-
元木 聡
茨大工
-
川原 悟史
茨大工
-
木下 正通
茨大工
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柳平 丈志
茨大工
-
鶴田 浩一
茨大工
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