26pZC-1 1次元量子細線におけるスピン・フィルターと電子相関(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-03-04

著者

• 井村 健一郎

  東北大理

• 井村 健一郎

  理化学研究所古崎物性理論研究室

関連論文

• 23aHV-2 量子スピンホール系におけるバルク/エッジ対応(23aHV 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aHV-1 Z_2トポロジカル絶縁体の接合における乱れの効果(23aHV 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pYH-8 ドープされたZ2トポロジカル絶縁体におけるクライン・トンネリングとアンドレーエフ反射(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTA-6 トポロジカル絶縁体における秩序変数(22aTA 領域4,領域7合同 グラフェン・量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• Z_2トポロジカル絶縁体の3階建て理論(講義ノート)
• 27pXG-5 Z_2絶縁体のpn接合における電荷とスピンの輸送(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pWH-10 多層グラフェンにおける光学伝導度(グラフェン,領域4,領域7合同講演,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 27pXG-4 Z_2絶縁体の端状態とそのrobustness(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXA-8 Z_2絶縁体の3階建て理論 : 分散を持たない表面状態とZ_2トポロジカル秩序(23pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 26aWH-6 単一分子伝導量子ドット磁石における巨大スピンゆらぎ(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pXL-16 単一分子伝導スピントロニクスにおける完全計数統計(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pZC-1 1次元量子細線におけるスピン・フィルターと電子相関(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 25pD-1 分数量子ホール系における階層構造と量子輸送現象
• 30a-Q-11 v=2/3スピン1重項分数量子ホール系のエッジ状態
• 30a-Q-11 ν=2/3スピン1重項分数量子ホール系のエッジ状態
• 8p-N-7 分数量子ホール系における量子輸送現象 : クローン相互作用の効果
• 8p-N-7 分数量子ホール系における量子輸送現象 : クローン相互作用の効果
• 階層構造を持つ分数量子ホール系における量子輸送現象
• 階層構造を持つ分数量子ホール系における量子輸送現象
• 23pXA-3 Z_2トポロジカル絶縁体における局在の相図と臨界指数(23pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 28aHG-4 乱れたZ_2絶縁体・金属転移の臨界指数と相図(28aHG トポロジカル絶縁体/超伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22aTL-8 グラフェン平面接合におけるジョセフソン効果(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 領域4・領域7「ディラック電子系の物性」(2011年秋季大会シンポジウムの報告,学会報告)
• Spin Berry phase in anisotropic topological insulators
• Spin Berry phase in the Fermi-arc states
• Weak topological insulator with protected gapless helical states
• Z_2トポロジカル絶縁体の3階建て理論(講義ノート)
• Finite-size energy gap in weak and strong topological insulators
• Spherical topological insulator
• Interfacial charge and spin transport in Z2 topological insulators
• Zigzag edge modes in a Z2 topological insulator : Reentrance and completely flat spectrum
• 27aSB-2 完全伝導チャネルに対する位相緩和の影響(27aSB 領域7,領域4合同 グラフェン(ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
• 20aEA-1 球状トポロジカル絶縁体の表面状態(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20pEA-13 折れ曲がったトポロジカル絶縁体表面におけるディラック電子(20pEA トポロジカル絶縁体(理論),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aDK-2 金属・トポロジカルアンダーソン絶縁体転移の量子臨界性(トポロジカル絶縁体(理論),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク