Z_2トポロジカル絶縁体の3階建て理論(講義ノート)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。グラフェンを舞台にしてトポロジカル絶縁体を議論する。近年グラフェンが盛んに議論されているが、その面白さはどこにあるのだろうか。グラフェン系の物理は、本質的に一体問題で議論されているにも関わらず豊富な物理を含んでいる。例えば、Dirac型分散関係の帰結として至る所に顔を出すBerry位相や、(2+1)次元Dirac粒子の量子Hall効果(あるいは量子化されたスピンHall効果)におけるパリティ異常などなど。量子力学における対称性が至る所に顔を出すのも興味深い。このノートは、2008年8月21日から23日にかけて長野県茅野市白樺湖で行われた、東京大学生産技術研究所羽田野研究室の合同夏期セミナーにおける講義に基いている。講義の内容を準備するにあたっては、著者が2008年4月から2010年2月まで籍を置いた東北大学大学院理学研究科物理学専攻量子多体論グループにおいて、当時大学院生であった堀田翔君を指導(と共同研究)するにあたって学んだことが基礎になっている。堀田翔君、及び、私をこのような研究分野に導いて下さった倉本義夫先生に感謝する。また、本ノートの作成に関しては、羽田野直道先生を中心とする羽田野研究室のメンバーの方々の多大なお世話になった。ここに謝意を表したい。なお、引用に関しては、本解説が非専門家を対象にした講義ノートの性質を持っていることに鑑み、必ずしもプライオリティーを尊重するのではなく、(特に非専門家が読んで)分かりやすいものという観点から著者が主観的な選定を行った。
- 2010-09-05
著者
関連論文
- 23aHV-2 量子スピンホール系におけるバルク/エッジ対応(23aHV 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aHV-1 Z_2トポロジカル絶縁体の接合における乱れの効果(23aHV 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pYH-8 ドープされたZ2トポロジカル絶縁体におけるクライン・トンネリングとアンドレーエフ反射(27pYH 領域4,領域7合同 グラフェン量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTA-6 トポロジカル絶縁体における秩序変数(22aTA 領域4,領域7合同 グラフェン・量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- Z_2トポロジカル絶縁体の3階建て理論(講義ノート)
- 27pXG-5 Z_2絶縁体のpn接合における電荷とスピンの輸送(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pWH-10 多層グラフェンにおける光学伝導度(グラフェン,領域4,領域7合同講演,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pXG-4 Z_2絶縁体の端状態とそのrobustness(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXA-8 Z_2絶縁体の3階建て理論 : 分散を持たない表面状態とZ_2トポロジカル秩序(23pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 分数量子Hall系における輸送現象 : 階層構造、相互作用とエッジ・トンネリングの実験(量子ホール効果及び関連する物理,研究会報告)
- 分数量子Hall系における輸送現象 : 階層構造、相互作用とエッジ・トンネリングの実験(基研研究会「量子ホール効果及び関連する物理」,研究会報告)
- 26aWH-6 単一分子伝導量子ドット磁石における巨大スピンゆらぎ(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pXL-16 単一分子伝導スピントロニクスにおける完全計数統計(23pXL 量子ドット(理論II),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pZC-1 1次元量子細線におけるスピン・フィルターと電子相関(半導体スピン物性,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 25pD-1 分数量子ホール系における階層構造と量子輸送現象
- 30a-Q-11 v=2/3スピン1重項分数量子ホール系のエッジ状態
- 30a-Q-11 ν=2/3スピン1重項分数量子ホール系のエッジ状態
- 8p-N-7 分数量子ホール系における量子輸送現象 : クローン相互作用の効果
- 8p-N-7 分数量子ホール系における量子輸送現象 : クローン相互作用の効果
- 階層構造を持つ分数量子ホール系における量子輸送現象
- 階層構造を持つ分数量子ホール系における量子輸送現象
- 23pXA-3 Z_2トポロジカル絶縁体における局在の相図と臨界指数(23pXA 量子スピンホール効果・トポロジカル絶縁体,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- A. Comtet, T. Jolioeur, S. Ouvry and F. David, ed., Topological Aspects of Low Dimensional Systems, Springer-Verlag, Berlin and Heidelberg, 1999, xxxiv+909p., 23×15.5cm, \19,200, (1998 Les Houches Session, Vol. 69), [学部・大学院向、専門書]
- 28aHG-4 乱れたZ_2絶縁体・金属転移の臨界指数と相図(28aHG トポロジカル絶縁体/超伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aTL-8 グラフェン平面接合におけるジョセフソン効果(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 領域4・領域7「ディラック電子系の物性」(2011年秋季大会シンポジウムの報告,学会報告)
- Spin Berry phase in anisotropic topological insulators
- Spin Berry phase in the Fermi-arc states
- Weak topological insulator with protected gapless helical states
- Z_2トポロジカル絶縁体の3階建て理論(講義ノート)
- Finite-size energy gap in weak and strong topological insulators
- Spherical topological insulator
- Interfacial charge and spin transport in Z2 topological insulators
- Zigzag edge modes in a Z2 topological insulator : Reentrance and completely flat spectrum
- 27aSB-2 完全伝導チャネルに対する位相緩和の影響(27aSB 領域7,領域4合同 グラフェン(ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))
- 20aEA-1 球状トポロジカル絶縁体の表面状態(20aEA トポロジカル絶縁体(理論・新物質),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pEA-13 折れ曲がったトポロジカル絶縁体表面におけるディラック電子(20pEA トポロジカル絶縁体(理論),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aDK-2 金属・トポロジカルアンダーソン絶縁体転移の量子臨界性(トポロジカル絶縁体(理論),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))