Strain-Fields Effects and Reversal of the Nature of the Fundamental Valence Band of ZnO Epilayers : Semiconductors
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概要
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We examine the influence of strain fields in ZnO epilayers. We show that a reversal of the nature of the fundamental valence band can be observed similarily to what was reported in GaN epilayers.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 2001-10-15
著者
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Said-hassani Said-assoumani
Centre National De La Recherche Scientifique Laboratoire De Physique Des Solides De Bellevue
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Triboulet Robert
Centre National De La Recherche Scientifique Laboratoire De Physique Des Solides De Bellevue
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Triboulet Robert
Centre National De La Recherche Scientifique Laboratoire De Physique Des Soides De Bellevure (lpsb
-
Gil Bernard
Universite De Montpellier Ii Groupe D'etude Des Semiconducteurs
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LUSSON Alain
Centre National de la Recherche Scientifique, Laboratoire de Physique des Solides de Bellevue
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SALLET Vincent
Centre National de la Recherche Scientifique, Laboratoire de Physique des Solides de Bellevue
-
BIGENWALD Pierre
Universite d'Avignon et des Pays de Vaucluse
-
Lusson Alain
Centre National De La Recherche Scientifique Laboratoire De Physique Des Solides De Bellevue
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Sallet Vincent
Centre National De La Recherche Scientifique Laboratoire De Physique Des Solides De Bellevue
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Bigenwald Pierre
Universite D'avignon Et Des Pays De Vaucluse
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Gil Bernard
Université Montpellier 2, Groupe d'Etude des Semiconducteurs, UMR CNS 5650, Case Courrier 074, 34095 Montpellier CEDEX 5, France
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