The Study of the Origin of the Anomalously Large Thermoelectric Power of Si/Ge Superlattice Thin Film
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概要
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We present the experimental framework for the origin of the anomalously large thermoelectric power for Si and Au-doped Ge superlattice thin film.The thermoelectric power of the sample still remains anomalously large even though the superlattice structure begins to collapse.An amorphous Ge thin film displays large thermoelectric power.The crystallized samples have almost the same thermoelectric power as that of conventional SiGe bulk samples.The main cause of this anomalously large thermoelectric power of Si/Ge superlattice thin films is amorphous Ge layer.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 2000-04-15
著者
-
田中 皓一
名古屋工業大学
-
MORIMOTO Jun
Department of Materials Science and Engineering, National Defense Academy
-
Morimoto J
Department Of Materials Science And Engineering National Defense Academy
-
OKAMOTO Yoichi
Department of Materials Science and Engineering, National Defense Academy
-
KAWAHARA Toshio
Department of Materials Science and Engineering, National Defense Academy
-
Tanaka Kazunobu
Joint Research Center For Atom Technology(jrcat):university Of Tsukuba Institute Of Material Science
-
Kawahara Toshio
Department Of Materials Science And Engineering National Defense Academy
-
Morimoto Jun
Department Of Applied Physics National Defense Academy
-
Okamoto Y
Department Of Materials Science And Engineering National Defense Academy
-
Okamoto Yoichi
Department Of Applied Physics National Defense Academy
-
Uchino Hiroki
Department Of Materials Science And Engineering National Defense Academy
-
UCHINO Hiroko
Department of Chemistry, Faculty of Science, Science University of Tokyo
-
Uchino Hiroko
Department Of Chemistry Faculty Of Science Science University Of Tokyo
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