Anomalous Large Thermoelectric Power of the Si and Au Doped Ge Superlattice Thin Film
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概要
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The thermoelectric properties of superlattice thin films have been studied as functions of temperature. The superlattice thin films were prepared by the alternate deposition of Si and Ge heavily doped with Au in ultrahigh vacuum. They have an intended artificial interval, but each layer is in an amorphous state. An anomalously large thermoelectric power and power factor is observed. The power factor reaches a maximum value of approximately 7 W/mK^2 at around 800 K, which is anomalously large compared to that for conventional bulk materials.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1999-08-15
著者
-
田中 皓一
名古屋工業大学
-
MORIMOTO Jun
Department of Materials Science and Engineering, National Defense Academy
-
Morimoto J
Department Of Materials Science And Engineering National Defense Academy
-
OKAMOTO Yoichi
Department of Materials Science and Engineering, National Defense Academy
-
KAWAHARA Toshio
Department of Materials Science and Engineering, National Defense Academy
-
Tanaka Kazunobu
Joint Research Center For Atom Technology(jrcat):university Of Tsukuba Institute Of Material Science
-
Kawahara Toshio
Department Of Materials Science And Engineering National Defense Academy
-
Morimoto Jun
Department Of Applied Physics National Defense Academy
-
Okamoto Y
Department Of Materials Science And Engineering National Defense Academy
-
Okamoto Yoichi
Department Of Applied Physics National Defense Academy
-
Uchino Hiroki
Department Of Materials Science And Engineering National Defense Academy
-
UCHINO Hiroko
Department of Chemistry, Faculty of Science, Science University of Tokyo
-
Uchino Hiroko
Department Of Chemistry Faculty Of Science Science University Of Tokyo
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