EBSP法によるウィスカ発生メカニズムの検討(J01-2 微細接続信頼性,J01 エレクトロニクス実装における熱制御および信頼性評価)
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概要
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With developing high performance of personal computer, EBSP (Electron Bask Scatter diffraction Pattern) technique was focused on the evaluation for the microjoining area in semiconductor package. The main purpose of this study was to clarify the crystallographic texture of lead free plating in order to investigate the growth mechanism of Sn whisker. In this study, EBSP technique was adopted to the gull wing type of outer lead with Sn whisker. In the result, it was found that Sn whisker was growing at triple junction of grains. And it was considered that misorientation of triple junction of grains were caused internal stress in Sn plating.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2004-09-04
著者
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